Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET

Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常闭电子模式器件,具有出色的性能和非常低的导通电阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平无引线封装 (VQFN)。

特性

  • 增强模式-常关电源开关
  • 超高频开关能力
  • 无体二极管
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 符合标准应用标准
  • 符合RoHS指令,无铅,符合REACH标准
  • 高效率和高功率密度
  • 超薄四方扁平无引线封装 (VQFN):4.0mm x 6.0mm

应用

  • 高功率密度和高效率电源转换
  • 交流-直流转换器(二次级)
  • 48V系统中的高频直流-直流转换器
  • 快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和USB type-C充电器
  • 数据通信和电信(交流-直流和直流-直流)转换器
  • 电机驱动器
  • LiDAR(非汽车)
  • D类音频放大器
应用电路图 - Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET
发布日期: 2024-06-04 | 更新日期: 2024-07-02