GANE7R0-100CBA是一款100V、7.0mΩ氮化镓 (GaN) FET,采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP)。GANE2R7-100CBA是100V、2.7mΩ氮化镓 (GaN) FET,采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP)。GANE1R8-100QBA是一款100V、1.8mΩ氮化镓 (GaN) FET,采用超薄型四方扁平无引线 (VQFN) 封装。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET非常适合高功率密度和高效率电源转换、D级音频放大器、快速电池充电和AC-DC转换器。
特性
- 增强模式 - 常关断功率开关
- 超高频率开关能力
- 无主体二极管
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 符合标准应用的资格
- 符合RoHS指令,无铅,符合REACH标准
- 高效率和大功率密度
- 晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 2.5mm x 1.5mm(GANE7R0-100CBA)
- 晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 4.45mm x 2.30mm(GANE2R7-100CBA)
- 超薄型四方无引线封装 (VQFN) 4.0mm x 6.0mm (GANE1R8-100QBA)
应用
- 大功率密度和高效率电源转换
- AC-DC转换器(次级阶段)
- 48V系统中的高频率DC-DC转换器
- 400V至48V LLC转换器,次级(整流)侧(GANE7R0-100CBA和GANE2R7-100CBA)
- D级音频放大器
- 快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和USB Type-C® 充电器
- 数据通信和电信(AC至DC和DC至DC)转换器
- 电机驱动器
- LiDAR(非汽车)
GANE7R0-100CBA引脚分配
GANE2R7-100CBA引脚分配
GANE1R8-100QBA引脚分配
发布日期: 2025-06-25
| 更新日期: 2025-07-03

