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Nexperia NX6008NBK N沟道沟槽式MOSFET

Nexperia NX6008NBK N沟道沟槽式MOSFET设计用于快速开关动作，具有低阈值电压。这些MOSFET工作的漏源电压 (VDS) 为60V，最大栅极-源极电压 (VGS) 为8V，结温范围 (TJ) 为-55°C至150°C。NX6008NBK MOSFET用于继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关、开关电路等应用。

特性

  • 低阈值电压
  • 超快开关功能
  • 沟槽式MOSFET技术
  • SOT323、SOT363和SOT23 SMD封装
  • 静电放电 (ESD) 保护 > 2kV HBM

规范

  • 漏极-源极电压 (VDS)：60V
  • 8V最大栅极-源极电压 (VGS)
  • 结温范围 (Tj)：–55°C至+150°C
  • 存储温度范围 (Tstg)：-65°C至150°C

应用

  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 低侧负载开关
  • 开关电路

特性曲线

性能图表 - Nexperia NX6008NBK N沟道沟槽式MOSFET
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物料编号 数据表 封装 / 箱体 通道数量 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散 配置 下降时间
NX6008NBKSX NX6008NBKSX 数据表 SOT-363-6 2 Channel 220 mA 2.7 Ohms 460 pC 286 mW Dual 4 ns
NX6008NBKR NX6008NBKR 数据表 SOT-23-3 1 Channel 270 mA 2.8 Ohms 500 pC 330 mW Single 3 ns
NX6008NBKWX NX6008NBKWX 数据表 SOT-323-3 1 Channel 250 mA 2.8 Ohms 500 pC 300 mW Single 3 ns
发布日期: 2022-01-20 | 更新日期: 2022-03-11