Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET

Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。该ASFET包括增强型安全工作区(SOA)，可实现出色的线性模式运行。PSMN071-100NSE N沟道ASFET具有低漏源导通电阻，可实现低I²R导通损耗。该ASFET具有100V最大漏源电压、9.8A最大漏极电流、31W最大总功耗以及175°C最高结温。PSMN071-100NSE N沟道ASFET配有增强型SOA，采用紧凑型2mm x 2mm DFN2020封装。除上述特性外，其他值得注意的应用还包括IEEE802.3at和专有PoE解决方案、WIFI^® 热点、5G微微蜂窝和CCTV。