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onsemi AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT

安森美 (onsemi) AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT是第四代高速场终止型IGBT，非常适合用于汽车应用。AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT为硬开关和软开关提供更高可靠性和最佳性能。安森美 (onsemi) AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT符合AEC Q101标准，具有超低开关和导通损耗。

特性

  • 符合 AEC-Q101
  • 最高结温：+175 °C
  • 正温度系数 (PTC)，便于并联工作
  • 大电流承受能力
  • 低饱和电压VCE(Sat) ：1.6V（典型值）（IC = 40A时）
  • 零件100%经过ILM 测试
  • 快速开关
  • 参数分布紧密
  • 符合RoHS指令

应用

  • 硬开关
  • DC-DC转换器
  • 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC)
  • PTC
  • 汽车
    • 混合动力/电动汽车 (HEV-EV) 车载充电器
    • HEV-EV DC-DC转换器

规范

  • AFGHL40T65SQD
    • 集电极-发射极电压：650V
    • 栅极-发射极电压：±20 V
    • 瞬态栅极到发射极电压：±30V
    • 集电极电流：40A（TC = +100°C时）
    • 集电极电流：80A（TC = +25°C时）
    • 脉冲集电极电流：160 A
    • 二极管正向电流：80A（TC = +25°C时）
    • 二极管正向电流：20A（TC = +100°C时）
    • 脉冲二极管最大正向电流：160 A
    • 最大功耗：238W（TC = +25°C时）
    • 最大功耗：119W（TC = +100°C时）
    • 工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C
    • 焊接最高引线温度：+300°C，外壳1/8”，持续5秒
  • AFGHL50T65SQD
    • 集电极-发射极电压：650 V
    • 栅极-发射极电压：±20V
    • 瞬态栅极-发射极电压：±30V
    • 集电极电流：50A（TC = +100°C时）
    • 集电极电流：80A（TC = +25°C时）
    • 脉冲集电极电流：200 A
    • 二极管正向电流：80A（TC = +25°C时）
    • 二极管正向电流：30A（TC = +100°C时）
    • 脉冲二极管最大正向电流：200A
    • 最大功耗：268W（TC = +25°C时）
    • 最大功耗：134W（TC = +100°C时）
    • 工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C
    • 焊接最高引线温度：+300°C，外壳1/8”，持续5秒

数据手册

概述

onsemi AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT
发布日期: 2020-06-16 | 更新日期: 2024-06-10