onsemi AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT

安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT采用场终止型第4代高速IGBT技术。安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。这些IGBT具有密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。典型应用包括功率因数校正 (PFC)、硬开关、DC-DC转换器、混合动力/电动汽车 (xEV) 车载和非车载充电器,以及工业逆变器。

特性

  • 场终止第4代高速IGBT技术
  • 为硬开关和软开关拓扑提供最佳性能
  • 符合AEC-Q101标准
  • 输入电流:75A
  • 输入电压:650V
  • 导通损耗
  • 正温度系数
  • 参数分布紧密
  • 快速开关
  • 最高结温:175 °C
  • 低饱和电压:1.6VCE(Sat)(IC=75A时)
  • 零件100%经过ILM测试
  • 更高的可靠性

应用

  • 推拉输出电路无桥PFC
  • 直流-直流转换器
  • 汽车
  • xEV车载和非车载充电器
  • 工业逆变器
发布日期: 2020-02-18 | 更新日期: 2024-06-10