onsemi FFSH1265BDN-F085 650V碳化硅肖特基二极管
安森美半导体FFSH1265BDN-F085 650V、12A碳化硅肖特基二极管采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。FFSH1265BDN-F085碳化硅二极管没有反向恢复电流,具有温度独立的开关特性及出色的热性能。其他优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸和更低的成本。FFSH1265BDN-F085 650V、12A碳化硅肖特基二极管采用TO-247-3LD封装。
特性
- 最高结温:+175°C
- 耐受24.5mJ雪崩
- 高浪涌电流能力
- 正温度系数
- 易于并联
- 无反向恢复/无正向恢复
- 符合AEC-Q101标准
- 无铅
- 无卤/无BFR
- 符合RoHS指令
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可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。
发布日期: 2019-11-07
| 更新日期: 2024-06-24