onsemi FFSH1265BDN-F085 650V碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSH1265BDN-F085 650V、12A碳化硅肖特基二极管采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。FFSH1265BDN-F085碳化硅二极管没有反向恢复电流,具有温度独立的开关特性及出色的热性能。其他优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸和更低的成本。FFSH1265BDN-F085 650V、12A碳化硅肖特基二极管采用TO-247-3LD封装。

特性

  • 最高结温:+175°C
  • 耐受24.5mJ雪崩
  • 高浪涌电流能力
  • 正温度系数
  • 易于并联
  • 无反向恢复/无正向恢复
  • 符合AEC-Q101标准
  • 无铅
  • 无卤/无BFR
  • 符合RoHS指令

应用

  • 汽车用HEV-EV车载充电器
  • 汽车用HEV-EV直流-直流转换器

电气连接

位置电路 - onsemi FFSH1265BDN-F085 650V碳化硅肖特基二极管
发布日期: 2019-11-07 | 更新日期: 2024-06-24