onsemi NIV1x ESD抑制器/TVS二极管
安森美 (onsemi) NIV1x ESD抑制器/TVS二极管设计用于保护高速数据线路免受ESD以及车辆电池短路的影响。这些二极管具有超低电容和低ESD钳位电压。NIV1x二极管是保护电压敏感型高速数据线路的理想解决方案，而低RDS(on) FET可限制信号线路上的失真。这些安森美 (onsemi) 二极管包括电池短路阻断和USB VBUS 短路阻断集成MOSFET。NIV1x ESD抑制器的工作温度范围为-55°C至150°C，漏极-源极电压为30V，栅极-源极电压为±10V。这些二极管非常适合用于汽车高速信号对、USB 2.0和低压差分信号 (LVDS)。
特性
- 低电容
- 集成MOSFET
- 电池短路阻断
- USB VBUS 短路阻断
- 可湿性侧翼，实现最佳自动光学检测 (AOI)
- 标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
- NIV前缀，适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车及其他应用
规范
- NIV1161x
- 电容：0.65 pF
- 反向工作电压：16V
- 反向漏电流：1 μA
- NIV1241
- 电容：0.66 pF
- 反向工作电压：23.5V
- 反向漏电流：0.5 μA
- 工作和储存温度范围：-55°C至+150°C
- 漏极-源极电压：30V
- 栅极-源极电压：±10V
应用
- 汽车高速信号对
- USB 2.0
- LVDS
位置电路
发布日期: 2020-12-02
| 更新日期: 2024-05-31