onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET
安森美 (onsemi) NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET优化用于反激式转换器的一次开关，可降低开关损耗和外壳温度。此MOSFET包含一个内部齐纳二极管，可提高ESD能力。安森美 (onsemi) NTD360N80S3Z MOSFET具有800V漏极-源极电压 (VDSS)、360mΩ最大漏极-源极电阻RDS(on)，以及13A最大漏极电流 (ID)。典型应用包括适配器/充电器、LED照明、AUX电源、音频和工业电源。
特性
- 低开关损耗
- 高效率
- 良好的EMI性能
- 通过内部齐纳二极管提高了ESD能力
- RDS(on) ：360mΩ（最大值）
- 漏极-源极电压 (VDSS)：800V
- 漏极电流 (ID)：13mA
- 超低栅极电荷 (Qg)：25.3nC（典型值）
- 输出电容 (Eoss) 中低存储能量：2.72µJ（400V时）
应用
- 适配器/充电器
- LED照明
- AUX电源
- 音频
- 工业电源
其他资源
发布日期: 2020-09-14
| 更新日期: 2024-06-12