onsemi NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET
安森美NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET设计用于需要高热性能的紧凑高效设计。该MOSFET具有低漏极－源极导通电阻 (RDS (on)），可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低栅极电荷 (QG) 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美半导体NTMFS015N10MCLT1G MOSFET采用小型DFN5封装，尺寸为5mm x 6mm。典型应用包括一次侧直流－直流MOSFET、直流－直流和交流－直流中的同步整流器 (SR)、电机驱动器以及USB Type-C™中的同步整流器。
特性
- 低导通电阻 (RDS(on))，可最大限度地降低导通损耗
- 12.2 mΩ（10 V时，最大值）
- 18.3 mΩ（4.5 V时，最大值）
- 栅极电荷 (QG) 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
- 漏源电压 (VDSS)：100V
- 漏极电流(ID)：54A
- 5mm x 6mm占位面积，设计紧凑
- DFN5封装
应用
- SR
- 直流－直流和交流－直流
- USB Type-C
- 一次侧直流-直流MOSFET
- 电机驱动器
其他资源
发布日期: 2020-09-16
| 更新日期: 2024-06-05