onsemi NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低漏极－源极导通电阻 (R_{DS (on)})，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美半导体NTMFS3D6N10MCL MOSFET采用小尺寸扁平引线封装，尺寸为5mm x 6mm。典型应用包括一次侧直流－直流MOSFET、直流－直流和交流－直流中的同步整流器、电机驱动器和开关电源。