onsemi NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET
安森美 (onsemi) NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更卓越的可靠性。此MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。安森美 (onsemi) NVBG080N120SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、高功率密度、低电磁干扰 (EMI) 以及较小的系统尺寸等特性。典型应用包括汽车车载充电器和汽车用DC/DC转换器（用于EV/HEV）。
特性
- 与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更卓越的可靠性
- RDS(on) ：80mΩ（典型值）
- 漏极-源极电阻 (V(BR)DSS)：1200V
- 漏极电流 (ID)：30A（最大值）
- 超低栅极电荷 (QG(tot))：56nC
- 低有效输出电容 (COSS)：79pF（典型值）
- 符合汽车应用类AEC-Q101标准
- 100% 经雪崩测试
应用
- 汽车
- 板载充电器
- 用于电动汽车 (EV)/混合动力电动汽车 (HEV) 的DC/DC转换器
- 逆变器
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发布日期: 2020-09-18
| 更新日期: 2024-08-23