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onsemi NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET采用高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。此MOSFET具有低漏极-源极RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVTFS6H860NL MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。安森美 (onsemi) MOSFET采用3.3mm x 3.3mm封装。典型应用包括反向电池保护、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）以及开关电源。

特性

  • 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
    • 20mΩ（10V时，最大值）
    • 26 mΩ（4.5 V时，最大值）
  • 漏极-源极电压 (V(BR)DSS)：80V
  • 漏极电流 (ID)：30A（最大值）
  • 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 尺寸：3.3 mm x 3.3 mm

应用

  • 螺线管驱动器反向电池保护
  • 电机控制用电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
  • 开关电源

其他资源

发布日期: 2020-09-18 | 更新日期: 2024-06-12