onsemi 650V碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美（onsemi）650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。
特性
- 低RDS(on)
- 高结温
- Tj=175°C
- 100%经UIL测试
- 符合RoHS指令
- 高速开关，低电容
- 额定电压：650V
应用
- 直流-直流转换器
- 升压逆变器
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发布日期: 2021-05-27
| 更新日期: 2025-03-04