onsemi FGB40T65SP_F085 650V 40A沟槽场终止型IGBT

Fairchild FGB40T65SP_F085 650V 40A沟槽场终止型IGBT采用新型场终止型第3代IGBT技术,提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。IGBT可用于各种应用中的高效操作,同时提供高出50V的阻断电压和强大的大电流开关可靠性。FGB40T65SP_F085在并联运行中也具有出色性能。

特性

  • 符合AEC-Q101标准
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 2.0V(典型值) (LC = 40A)
  • 100%的零件都经过动态测试
  • 短路耐受性 > 5μs (25°C)
  • 最高结温:Tj = 175°C
  • 快速转换
  • 参数分布紧密
  • 正温度系数易于并联工作
  • 装有柔性快速恢复二极管
  • 符合RoHS指令

应用

  • 车载充电器
  • 空调压缩机
  • PTC加热器
  • 电机驱动器
  • 其他汽车动力传动系统和辅助应用
发布日期: 2017-04-20 | 更新日期: 2022-03-11