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onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT

安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV高速IGBT采用新型场截止第四代IGBT技术和第1.5代SiC肖特基二极管技术。该IGBT的集电极-发射极电压 (VCES) 额定值为650V，采用D2PAK7封装。其集电极-发射极饱和电压 (VCE(SAT)) 额定值为1.54V，集电极电流 (IC) 额定值为70A。安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC性能表现优异，兼具低导通损耗和低开关损耗，可在各类应用中实现高效率。

特性

  • 最高结温 (TJ)：+175°C
  • 具有正温度系数，便于并联操作
  • 大电流能力
  • 在IC =70A时，饱和电压 [VCE(SAT)] 低至1.54V（典型值）
  • 零件100%经过ILM测试
  • 快速开关
  • 参数分布紧密
  • 无反向恢复、无正向恢复
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能

应用

  • HEV/EV车载充电器
  • HEV/EV直流-直流转换器
  • 图腾柱无桥PFC电路

规范

  • 集电极-发射极电压 (VCES)：650V
  • 栅极-发射极电压 (VGES)：±20V
  • 瞬态栅极-发射极电压 (VGES)：±30V
  • 集电极电流 (IC)：75A（TC =+25°C时）/70A（TC =+100°C时）
  • 耗散功率 (PD)：617W（TC =+25°C时）/309W（TC =+100°C时）
  • 脉冲集电极电流 (ICM)：280A（TC =+25°C、tp =10µs时）
  • 二极管正向电流 (IF)：35A（TC =+25°C时）/20A（TC =+100°C时）
  • 脉冲二极管最大正向电流 (IFM)：80A（TC =+25°C、tp =10µs时）
  • 工作结温/存放温度范围 (TJ /Tstg)：-55°C至+175°C
  • 焊接引脚耐受温度 (TL)：+260°C

电路图

原理图 - onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
发布日期: 2025-09-30 | 更新日期: 2025-10-13