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onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT

安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT采用新型第七代场截止IGBT技术和第七代二极管，封装形式为4引脚。该IGBT的集电极-发射极电压 (VCES) 额定值为1200V，采用TO-247-4LD封装。其集电极-发射极饱和电压 (VCE(SAT)) 额定值为1.66V，集电极电流 (IC) 额定值为60A。安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD性能卓越，在汽车应用的各种硬开关与软开关拓扑结构中均能实现低通态电压与低开关损耗。

特性

  • 极其高效的沟槽，采用场终止型技术
  • 最高结温 (TJ)：+175°C
  • 短路额定的、低饱和电压
  • 快速开关，收紧的参数分布
  • 符合AEC-Q101标准，可根据要求提供PPAP
  • 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS标准

应用

  • 汽车电子压缩机
  • 电动汽车PTC加热器
  • OBC

规范

  • 集电极-发射极电压 (VCE)：1200V
  • 栅极-发射极电压 (VGE)：±20V
  • 瞬态栅极-发射极电压 (VGE)：±30V
  • 集电极电流 (IC)：73A（TC =+25°C时）/60A（TC =+100°C时）
  • 耗散功率 (PD)：287W（TC =+25°C时）/114W（TC =+100°C时）
  • 脉冲集电极电流 (ICM)：180A（TC =+25°C时）
  • 二极管正向电流 (IF)：84A（TC =+25°C时）/60A（TC =+100°C时）
  • 脉冲二极管最大正向电流 (IFM)：180A（TC =+25°C时）
  • 工作结温/存放温度范围 (TJ /Tstg)：-55°C至+175°C
  • 焊接引脚耐受温度 (TL)：+260°C

数据手册

电路图

原理图 - onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
原理图 - onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
发布日期: 2025-09-30 | 更新日期: 2025-10-13