onsemi AFGHxL25T单N沟道1200V 25A IGBT

安森美AFGHxL25T单N沟道1200V 25A绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固、高性价比的场终止型VII沟槽结构。安森美AFGHxL25T在要求苛刻的开关应用中提供出色的性能。低导通电压和最小开关损耗在汽车应用中提供最佳的硬开关和软开关拓扑性能。

特性

  • 极其高效的沟槽,采用场终止型技术
  • 最高结温(TJ):175°C
  • 短路额定的、低饱和电压
  • 快速开关,收紧的参数分布
  • 符合AEC-Q101标准,可根据要求提供PPAP
  • 这些器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令

应用

  • 混合动力汽车和纯电动汽车的PTC加热器
  • 混合动力汽车和纯电动汽车的电动压缩机
  • OBC

引脚连接

原理图 - onsemi AFGHxL25T单N沟道1200V 25A IGBT
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物料编号 数据表 封装 / 箱体 集电极—射极饱和电压 Pd-功率耗散
AFGH4L25T120RW AFGH4L25T120RW 数据表 TO-247-4 1.37 V 416 W
AFGH4L25T120RWD AFGH4L25T120RWD 数据表 TO-247-4 1.37 V 416 W
AFGHL25T120RW AFGHL25T120RW 数据表 TO-247-3 1.38 V 468 W
AFGHL25T120RWD AFGHL25T120RWD 数据表 TO-247-3 1.38 V 468 W
发布日期: 2024-07-22 | 更新日期: 2024-08-02