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onsemi FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive

安森美半导体FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive是一款高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术经过量身定制，可最大限度降低导通损耗，提供出色的开关性能以及承受极端dv/dt比。Easy-Drive技术有助于管理EMI问题，并可简化设计实施。

FCMT360N65S3采用超薄、表面贴装的Power88封装，具有较低的寄生源电感和独立的电源和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88封装具有1级湿度灵敏性等级。

特性

  • TJ = 150°C时700V
  • 开尔文触点
  • 超低栅极电荷 (Qg)：18nC（典型值）
  • 低有效输出电容 (Coss(eff.))：173pF（典型值）
  • 优化的电容
  • 导通电阻 (RDS(on))：310mΩ（典型值）
  • 100%经过雪崩测试
  • 内部栅极电阻 (Rg)：1Ω
  • 适度灵敏性等级：1级 
  • 封装类型：Power88
  • 封装尺寸：8mm x 8mm x 1mm
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 计算机和显示器电源
  • 电信和服务器电源
  • 工业电源
  • 照明
  • 充电器和适配器

内部原理图

原理图 - onsemi FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive

封装外形

机械图纸 - onsemi FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive
发布日期: 2019-08-15 | 更新日期: 2024-02-20