onsemi FGH4L50T65MQDC50 650V场终止型中速IGBT
安森美 (onsemi) FGH4L50T65MQDC50 650V场终止型中速IGBT采用第4代场终止型IGBT技术和1.5 SiC肖特基二极管技术。 安森美 (onsemi) FGH4L50T65MQDC50采用紧凑型TO-247 4引脚封装。 此器件通过最大限度地降低导通和开关损耗来提高效率。FGH4L50T65MQDC50设计用于各种应用。
特性
- 具有正温度系数，便于并联操作
- 大电流的能力
- 零件100%经过ILM 测试
- 顺畅和经过优化的开关
- 低饱和电压：VCE(Sat) = 1.45V（典型值）（IC = 50A时）
- 无反向恢复/无正向恢复
- 参数分布紧密
- 符合RoHS指令
应用
- 充电站（EVSE）
- 太阳能逆变器
- UPS、ESS
- 功率因数校正
- 转换器
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发布日期: 2023-08-09
| 更新日期: 2024-06-24