onsemi FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT

安森美FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT在该系列第四代IGBT中采用创新的场终止型IGBT技术。这些器件为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能。安森美FGH4L50T65SQD非常适合用于需要低导通和低开关损耗的应用。

特性

  • 最高结温 (TJ) 为175°C
  • 具有正温度系数,便于并联工作
  • 大电流能力
  • 低饱和电压 (VCE(Sat)):1.6V(典型值)(IC=50A)
  • 零件100%经过ILM测试
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 参数分布紧密
  • 该器件无铅,符合RoHS指令

应用

  • 太阳能逆变器
  • UPS
  • 焊接设备
  • 电信
  • ESS
  • 功率因数校正

电路图

原理图 - onsemi FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT
发布日期: 2023-10-05 | 更新日期: 2023-10-13