onsemi FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT
安森美FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和采用TO-247 4−lead封装的第7代二极管。安森美FGY4LxxT120SWD具有最佳的性能，具有低开关和导通损耗，可在太阳能逆变器、UPS和ESS等各种应用中实现高−效率运行。
特性
- 最高结温（TJ）：175°C
- 集电极电流：
- FGY4L75T120SWD：75A
- FGY4L100T120SWD：100A
- FGY4L140T120SWD：140A
- FGY4L160T120SWD：160A
- 正温度系数
- 大电流承受能力
- 顺畅和经过优化的开关
- 低开关损耗
- 符合RoHS标准
应用
- 太阳能逆变器
- UPS
- 储能系统
引脚连接
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| 物料编号 | 数据表 | 集电极—射极饱和电压 | 在25 C的连续集电极电流 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|
| FGY4L140T120SWD |  |
1.7 V | 200 A | 1.25 kW |
| FGY4L160T120SWD | |
1.7 V | 200 A | 1.5 kW |
| FGY4L100T120SWD | |
1.7 V | 200 A | 1.071 kW |
| FGY4L75T120SWD | |
1.37 V | 150 A | 652 W |
发布日期: 2024-07-23
| 更新日期: 2024-08-08