onsemi LFPAK4汽车用功率MOSFET
安森美半导体LFPAK4汽车用功率MOSFET是符合AEC-Q101标准的单N通道MOSFET，占位面积小 (5mm x 6mm)，非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些汽车级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+175°）。
特性
- 占位面积小 (5mm x 6mm)，用于紧凑型设计
- 低RDS(on) 可最大限度地降低导通损耗
- QG和电容低，最大限度地降低驱动器损耗
- 行业标准LFPAK4封装
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车
- 不间断电源
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器
封装外形
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| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS6D2N06CLTWG |  |
60 V | 71 A | 6.1 mOhms | 20 nC |
| NVMYS5D3N04CTWG | |
40 V | 71 A | 5.3 mOhms | 16 nC |
| NVMYS011N04CTWG | |
40 V | 35 A | 12 mOhms | 7.9 nC |
| NVMYS8D0N04CTWG | |
40 V | 49 A | 8.1 mOhms | 10 nC |
| NVMYS010N04CLTWG | |
40 V | 38 A | 10.3 mOhms | 7.3 nC |
| NVMYS021N06CLTWG | |
60 V | 27 A | 21 mOhms | 5 nC |
| NVMYS025N06CLTWG | |
60 V | 21 A | 27.5 mOhms | 5.8 nC |
| NVMYS014N06CLTWG | |
60 V | 36 A | 15 mOhms | 9.7 nC |
| NVMYS7D3N04CLTWG | |
40 V | 52 A | 7.3 mOhms | 16 nC |
| NVMYS3D3N06CLTWG | |
60 V | 133 A | 3 mOhms | 40.7 nC |
发布日期: 2019-08-30
| 更新日期: 2024-02-27