onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET
安森美 (onsemi) NTBG022N120M3S 1200V M3S系列碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用，具有22mΩ 的低漏极-源极导通电阻。M3S 系列 SiC MOSFET 采用 18 V 栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，与 15 V 栅极驱动器配合使用时也能很好地工作。该设备采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。
安森美NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，可实现低共源电感。
特性
- 优化用于快速开关应用
- 低开关损耗
- 典型导通开关损耗：485µJ（40A、800V时）
- 18V，性能最佳；15V，兼容IGBT驱动器电路
- 100%经雪崩测试
- 功率密度更高
- 提高了对意外进入电压尖峰或振铃的稳健性
应用
- 交流-直流转换
- 直流-交流转换
- 直流-直流转换
- 开关模式电源 (SMPS)
- UPS
- 电动汽车充电器
- 太阳能逆变器
- 能量存储器系统
规范
- 漏极-源极电压 (VDSS)：1200V
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(on))：22mΩ
- 栅极-源极电压 (VGS)：-10V/+22V
- 漏极-源极击穿电压温度系数 (V(BR)DSS/TJ)：0.3V/°C
- 零栅极电压漏极电流 (IDSS)：100µA
- 栅极-源极漏电流 (IGSS)：±1µA
- 连续漏极电流 (ID)
- 58A（TC = 25°C时）
- 41A（TC = 100°C时）
- 功率耗散 (PD)
- 234W @ TC = 25°C
- 117W @ TC = 100°C
- 栅极阈值电压 (VGS(TH))：2.04V至4.4V；典型值2.72V
- 输入电容 (CISS)：3200pF
- 输出电容 (COSS)：148pF
- 反向传输电容 (CRSS)：14pF
- 接通延迟时间 (td(ON))：18ns
- 上升时间 (tr)：24ns
- 关断延迟时间 (td(OFF))：47ns
- 下降时间 (tf)：14ns
- 反向恢复时间 (tRR)：23ns
- 工作结温和储存温度范围（TJ 、Tstg）：-55°C至+175°C
- D2PAK7 (TO-263-7L HV) 封装
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发布日期: 2022-08-24
| 更新日期: 2024-06-19