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onsemi NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET具有150V漏极-源极电压 (V(BR)DSS) 和低开关噪声/EMI。这些器件具有低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗，还具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗。NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC MOSFET采用无铅、无卤/无BFR、符合RoHS指令的D2PAK7封装。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储、家居自动化、工业叉车和牵引控制系统。

特性

  • 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
  • 低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
  • 降低开关噪声/EMI
  • 符合AEC-Q101标准的MOSFET并具有PPAP功能，适合用于汽车应用
  • 无铅、无卤/无BFR、符合RoHS指令的D2PAK7封装

应用

  • NTBGS4D1N15MC及NTBGS6D5N15MC
    • 电动工具和电池供电真空吸尘器
    • UAV/无人机和材料处理
    • BMS/存储和家居自动化
    • 牵引控制系统和工业叉车
  • NTBGS6D5N15MC
    • 开关电源
    • 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
    • 反向电池保护
    • 电磁阀驱动器（ABS、燃油喷射）
    • 电机控制（EPS、雨刮器、风扇、座椅等）
    • 负载开关（ECU、底盘、车身）

配置实现初始电压定位

原理图 - onsemi NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET
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物料编号 数据表 描述
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC 数据表 MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
NTBGS6D5N15MC NTBGS6D5N15MC 数据表 MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
发布日期: 2020-08-02 | 更新日期: 2024-06-13