onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
安森美 (onsemi) NTH4L018N075SC1 N沟道碳化硅 (SiC) MOSFET是一款低导通电阻、750V M2 EliteSiC MOSFET，采用紧凑型TO247-4L封装。该SiC MOSFET支持高速开关，具有低电容 (Coss = 365pF)、体二极管零反向恢复电流以及开尔文源极配置。NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET具有QG(tot) = 262nC的超低栅极电荷、-8V/+22V栅极-源极电压以及500W功耗。典型应用包括太阳能逆变器、EV充电站、储能系统、不间断电源 (UPS) 和开关模式电源 (SMPS)。
NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET具有高开关性能、高可靠性、高效率、高功率密度、低EMI以及小系统尺寸等特性。该碳化硅MOSFET经过完全雪崩测试，工作温度范围为-55°C至175°C。该N沟道SiC MOSFET不含卤素、符合无铅2LI，并符合RoHS指令（含7a豁免）。
特性
- 漏-源导通电阻：
- VGS = 18V时典型RDS(on)：13.5mΩ
- VGS = 15V时典型RDS(on)：18mΩ
- 超低栅极电荷 (QG(tot) = 262nC)
- 低电容高速开关 (Coss = 365pF)
- 漏-源电压：750V
- 体二极管零反向恢复电流
- 开尔文源极配置
- 栅极-源极电压范围：-8/+22V
- 通过完全雪崩测试
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至175°C
- 无卤素，符合RoHS指令（含7a豁免）
- 符合无铅2LI（二级互连）
应用
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源 (UPS)
- 储能系统
- 开关模式电源 (SMPS)
- 工业
示意图
尺寸图
其他资源
发布日期: 2024-07-29
| 更新日期: 2024-08-22