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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N双N通道功率MOSFET具有低RDS (on)、栅极阈值和输入电容。安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N MOSFET具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

特性

  • 低RDS(ON) ：
  • 低栅极阈值
  • 低输入电容
  • ESD保护栅极
  • NV前缀，用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅设备

应用

  • 低侧负载开关
  • 直流-直流转换器（降压和升压电路）

规范

  • 最大连续漏极电流：295A
  • RDS(ON) ：1.6Ω（10V时）和2.5Ω（4.5V时）（最大值）
  • 漏极-源极电压：60V
  • 栅极-源极电压：±20V
  • 脉冲漏极电流：900A
  • 工作结温和存放温度范围：-55°C至150°C

引脚分配

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N沟道功率MOSFET
发布日期: 2023-12-26 | 更新日期: 2024-02-06