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onsemi NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET

安森美半导体 NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET非常适用于电源负载开关、电池管理和保护（反向电流、过压和反向负电压）。NTMFS005P03P8Z的工作结温范围为-55°C至+150°C，具有-30V漏极-源极电压、2.7mΩ 导通电阻（10V时）以及164A漏极/待机电流。安森美半导体 NTMFS005P03P8Z采用5mmx6mm SO8-FL封装，这是y一种先进的封装技术，可节省空间并实现出色的导热性能。

特性

  • 超低RDS(on)，可提高系统效率
  • 先进的封装技术，可节省空间并实现出色的导热性
  • 5 mm x 6 mm、SO8-FL封装
  • 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

应用

  • 保护特性
    • 反向电流：
    • 过压
    • 反向负电压
  • 电源负载开关
  • 电池管理

规范

  • 漏极-源极电压：-30V（最大值）
  • 最大栅极-源极电压：±25V
  • 最大连续漏极电流范围：-11A至-164A
  • 最大功耗范围：0.9W至104W
  • 脉冲漏极电流：-597A（最大值）
  • 零栅极电压漏极电流：-1.0µA（最大值）
  • 最大栅极-源极漏电流：±10µA
  • 单脉冲漏极-源极雪崩能量：165.8mJ（最大值）
  • 漏极-源极导通电阻范围：4.4mΩ至2.7mΩ（最大值）
  • 正向跨导：87S（典型值）
  • 总栅极电荷：183nC（典型值）
  • 反向恢复时间：57 ns（典型值）
  • 典型充电时间：34ns
  • 典型放电时间：23ns
  • 反向恢复电荷：77nC（典型值）
  • 典型电容
    • 7880 pF输入
    • 2630 pF输出
    • 反向传输：2550pF
  • 最大稳态热阻
    • 结壳热阻：1.2°C/W
    • 结点至环境热阻范围：40°C/W至137°C/W
  • 工作结温范围：-55 °C至+150 °C
发布日期: 2024-02-19 | 更新日期: 2024-03-05