onsemi NTTFD1D8N02P1E N 通道 MOSFET
安森美NTTFD1D8N02P1E N沟道MOSFET是一款双通道25V电源夹非对称器件。该N沟道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V
DSS 漏极-源极电压。NTTFD1D8N02P1E MOSFET还具有低
RDS (on),可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低
QG 和电容,可最大限度地降低驱动器损耗。该MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm),设计紧凑。NTTFD1D8N02P1E器件适用于直流/直流转换器和系统电压轨。
特性
- 3.3mm x 3.3mm小尺寸,设计紧凑
- 低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗
- QG 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
- 该器件无铅,符合RoHS指令
发布日期: 2025-02-06
| 更新日期: 2025-03-05