安森美 (onsemi) NV25xx EEPROM具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。字节级片上纠错码 (ECC) 使这些器件适合用于高可靠性应用。这些器件还提供一个额外识别页面,具有永久写保护功能。
NV25080、NV25160、NV25320和NV25640 EEPROM以紧凑型SOIC8和TSSOP8封装提供,工作温度范围为-40°C至+150°C。
特性
- 通过汽车AEC-Q100 0级认证(-40°C至+150°C)
- 电源电压范围:5.0V至5.5V
- 10MHz SPI兼容
- SPI模式 (0,0) 和 (1,1)
- 32字节页面写入缓冲器
- 自定时写周期
- 硬件和软件保护
- 额外识别页面,具有永久写保护功能
- NV前缀,适用于需要现场和变更控制的汽车及其他应用:
- 块写保护,用于¼、½或整个EEPROM阵列
- 低功耗CMOS技术
- 编程/擦除周期
- 400万(+25°C时)
- 120万(+85°C时)
- 600,000(+125 °C时)
- 300,000(+150 °C时)
- 数据保留200年
- SOIC-8、TSSOP-8和UDFN-8封装选项
- 无铅、无卤,符合RoHS指令
应用
- 车门模块
- 车身电脑和能源管理单元
- 防盗单元
- 雨刮器模块
- 泊车辅助单元
- 照明管理单元
- 电子驻车制动器
- 发动机启动/停止控制单元
- 引擎控制装置
- 防抱死制动系统 (ABS)/电子稳定系统 (ESP)
- 安全气囊
- 集成导航和信息娱乐系统
- 电动转向控制单元
引脚指示
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| 物料编号 | 存储容量 | 组织 | 封装 / 箱体 |
|---|---|---|---|
| NV25128MUW3VTBG | 128 kbit | 16 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25320MUW3VTBG | 32 kbit | 4 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25640MUW3VTBG | 64 kbit | 8 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25160MUW3VTBG | 16 kbit | 2 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25080DWHFT3G | 8 kbit | 1 k x 8 | SOIC-8 |
| NV25640DWHFT3G | 64 kbit | 8 k x 8 | SOIC-8 |
| NV25010MUW3VTBG | 1 kbit | 128 x 8 | UDFN-8 |
| NV25040MUW3VTBG | 4 kbit | 512 x 8 | UDFN-8 |
| NV25160DTHFT3G | 16 kbit | 2 k x 8 | TSSOP-8 |
| NV25020MUW3VTBG | 2 kbit | 256 x 8 | UDFN-8 |
发布日期: 2020-08-11
| 更新日期: 2024-09-16

