onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，该系列专为快速开关应用而优化。此MOSFET具有最大76mΩ（在20V最大RDS(ON) 、1700V漏极至源极电压、50A漏极连续电流和超低栅极充电/电荷（典型 QG(tot) = 107nC）时）。NVBG050N170M1 SiC MOSFET的有效输出电容较低（典型Coss = 97pF），栅极至源极电压为-15V/+25V。该碳化硅MOSFET 100%经过雪崩测试，采用D2PAK-7L封装。NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET为无铅2LI，不含卤化物，符合RoHS标准，豁免7a条。典型应用包括反激式转换器、电动汽车/混合动力汽车用DC-DC转换器以及车载充电器（OBC）。
特性
- 典型RDS(on) = 53mΩ（VGS = 20V）
- 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 107nC）
- 低有效输出电容（典型Coss = 97pF）
- 100% 经雪崩测试
- 不含卤素
- 符合RoHS指令（7a豁免）
- 无铅2LI（二级互连）
应用
- 反激式转换器
- 汽车直流-直流转换器（用于EV/HEV）
- 汽车车载充电器（OBC）
规范
- 漏极-源极电压：1700V VDSS
- 栅极-源极电压：-15V/+25V
- 工作温度范围：-55 °C至175 °C
- 连续拉电流（体二极管）：87A
MOSFET概述
典型特性
尺寸
发布日期: 2025-05-14
| 更新日期: 2025-06-02