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onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。该MOSFET具有低RDS(on)，以最大限度地减少导通损耗，并具有低QG和电容，以最大限度地减少驱动器损耗。安森美 (onsemi) NVBYST0D6N08X符合AEC-Q101标准，支持PPAP，无铅，无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，符合RoHS标准。该MOSFET的典型应用是DC-DC和AC-DC中同步整流 (SR)、隔离式DC-DC转换器中一次侧开关、电机驱动器和汽车48V系统。

特性

  • 低QRR、软恢复体二极管
  • 低RDS(on)，以最大限度地降低导通损耗
  • 低QG和电容值，以最大限度地降低驱动器损耗
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS标准

应用

  • 直流-直流和交流-直流中的同步整流器 (SR)
  • 隔离式DC-DC转换器中一次侧开关
  • 电机驱动器
  • 汽车48 V系统

规范

  • 最大漏极到源极电压 (VDSS)：80V
  • 最大栅极到源极电压 (VGS)：20V
  • 最大漏极连续电流 (ID)：767A（TC = +25°C时）、542A（TC = +100°C时）
  • 最大耗散功率 (PD)：750W（+25°C时）
  • 最大脉冲漏极电流 (IDM)：2443A（TC = 25°C、tp = 100µs时）
  • 工作结温 (Tj) 和存放温度范围 (Tstg)：-55°C至+175°C
  • 漏极到源极导通电阻[RDS(on)]：0.56mΩ（典型值，VGS = 10V、ID = 80A、TJ = +25°C）
  • 输入电容 (CISS)：16419pF（典型值，VDS = 40V、VGS = 0V、f = 1MHz）
  • 输出电容 (COSS)：4654pF（典型值，VDS = 40V、VGS = 0V、f = 1MHz）
  • 总栅极电荷[QG(TOT)]：228nC（典型值，VDD = 40V、ID = 80A、VGS = 10V）

电路/标记图

原理图 - onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
发布日期: 2025-11-24 | 更新日期: 2025-12-26