onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC汽车用碳化硅MOSFET
安森美（onsemi）NVHL070N120M3S EliteSiC汽车用碳化硅 (SIC) MOSFET是一款1200V M3S平面器件，优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该器件采用18V栅极驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。
特性
- 超低栅极电荷
- 高速开关，低电容
- TO-247-3L 封装
- 100%经雪崩测试
- 符合AEC−Q101标准并具有PPAP功能
- 无卤，符合RoHS指令，带7a豁免、无铅2LI（二级互连）
应用
- 车载充电器
- 汽车用直流－直流转换器（用于EV/HEV)
规范
- 关断状态
- 最小漏极－源极击穿电压：1200V
- 典型漏极－源极击穿电压温度系数：0.3V/°C
- 最大零栅极电压漏极电流：100µA
- 最大栅极－源极漏电流：±1µA
- 导通状态
- 栅极阈值电压：2.04V至4.4V
- 推荐栅极电压范围：-3V至18V
- 典型漏极－源极导通电阻：65mΩ至136mΩ
- 正向跨导：12S
- 电荷、电容和栅极电阻
- 典型输入电容：1230pF
- 典型输出电容：57pF
- 典型反向传输电容：5pF
- 典型总栅极电荷：57nC
- 典型阈值栅极电荷：3.2nC
- 典型栅极－源极电荷：9.6nC
- 典型栅极至漏极电荷：17nC
- 典型栅极电阻：4.3Ω
- 开关
- 典型接通延迟时间：10ns
- 典型上升时间：24ns
- 典型关闭延迟时间：29ns
- 典型下降时间：9.6ns
- 典型导通开关损耗：254µJ
- 典型关断开关损耗：46µJ
- 典型总开关损耗：300µJ
- 源极－漏极二极管
- 最大连续正向电流：31A
- 98A最大脉冲正向电流
- 典型正向二极管电压：4.7V
- 反向恢复时间：14ns（典型值）
- 典型反向恢复电荷：57nC
- 典型反向恢复能量：3.1µJ
- 典型峰值反向恢复电流：8.2A
- 典型充电时间：7.7ns
- 典型放电时间：6.2ns
- 最大热阻
- 结温到外壳：0.94°C/W
- 结温到环境：40°C/W
- 工作结温范围：-55°C至+175°C
原理图
其他资源
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发布日期: 2023-12-19
| 更新日期: 2024-06-18