返回onsemi

onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET

安森美NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET是高效紧凑型解决方案，专为要求苛刻的电源开关应用而设计。这款MOSFET的RDS(on) 值低、开关速度快，非常适合用于直流-直流转换器、电机驱动器以及电池管理系统。此系列MOSFET采用节省空间的DFN-8封装，支持大电流处理能力和热性能，这对汽车、工业和消费类电子产品至关重要。每种型号均具有不同的电流和电阻曲线，可满足特定的设计需求，同时保持稳健的雪崩能量额定值和低栅极电荷，从而提升高性能电源系统的效率与可靠性。

特性

  • 5mm x 6mm外形小巧，设计紧凑
  • 导通电阻RDS(on) 小，能够将导通损耗降至最低
  • QG 和电容小，能够将驱动器损耗降至最低
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • DFN-8封装，带可湿性侧翼
  • 无铅、无卤/无BFR、无铍
  • 符合RoHS标准

应用

  • 汽车系统
    • 电动转向系统
    • LED照明
    • 电子控制单元 (ECU)
  • 直流-直流转换器
    • 负载点 (POL) 转换器
    • 中间总线架构
  • 电机控制
    • 机器人技术
    • 自动化
  • 电池管理
    • 电池保护
    • 充电电路
  • 电源

规范

  • 漏极-源极击穿电压：100V
  • 漏极-源极电阻范围：10.4mΩ至39mΩ
  • 栅极-源极电压：20 V
  • 栅极-源极阈值电压：3 V
  • 连续漏极电流范围：21A至61A
  • 功耗范围：36W至84W
  • 栅极电荷范围：4nC至26nC
  • 典型导通延迟时间范围：4.6ns至11ns
  • 上升时间范围：1.7 ns至5.2 ns
  • 典型关断延迟时间范围：15ns至32ns
  • 下降时间范围：3 ns至5.5 ns
  • 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
  • 峰值焊接温度：+260°C

数据手册

原理图

原理图 - onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
发布日期: 2025-05-29 | 更新日期: 2025-06-08