onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET是一种高效设备,设计用于要求严格的电源管理应用程序。NVMFS4C03NWFET1G采用紧凑的5mm x 6mm PowerFLAT封装,具有出色的热性能和极低的导通电阻RDS(on),在10V下低至0.9mΩ,使该MOSFET成为最大限度减少大电流电路中导通损耗的理想选择。此安森美 (onsemi) MOSFET支持快速切换速度,并针对DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制应用进行了优化。其坚固的设计和高雪崩能量等级使NVMFS4C03NWFET1G适用于电信、服务器和工业电源系统,这些系统对可靠性和效率要求极高。NVMFS4C03NWFET1G在性能、尺寸和坚固性之间实现了平衡,使其成为现代电源电子设备的通用选择。特性
- 占位面积仅为5mmx6mm,适用于紧凑型设计
- 低导通电阻RDS(on),将导通损耗降至最低
- 低QG 和电容小,将驱动器损耗降至最低
- 可湿润侧边,便于进行增强型光学检测
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂
- 符合RoHS标准
应用
- 直流-直流转换器
- 同步整流
- 负载开关
- 电机控制
- 电信电源系统
- 服务器和数据中心的电源管理
- 电池管理系统 (BMS)
规范
- 30V最大漏极到源极电压
- ±20V最大栅极到源极电压
- 34.9A至159A最大漏极连续电流范围
- 3.71W至77W最大功率耗散范围
- 900A最大脉冲漏极电流
- 64A最大二极管源电流
- 549mJ最大单脉冲漏极到源极雪崩能量
- SO-8 FL封装
- 最大漏极到源极导通电阻
- 1.7 mΩ(10 V 时)
- 2.4 mΩ(4.5 V 时)
- 工作结温范围:-55 °C至+175 °C
- +260°C最大焊接引线温度
- 最大热阻值
- 1.95°C/W结至壳稳定状态
- 40°C/W结温到环境,稳定状态
发布日期: 2025-06-02
| 更新日期: 2025-06-23
