onsemi NVMFS4C306N功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFS4C306N功率MOSFET具有30V漏极-源极电压、3.4mΩ RDS(ON) 和71A连续漏极电流。该汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线SO8-FL封装，开发用于紧凑高效的设计。
安森美半导体NVMFS4C306N功率MOSFET具有可湿性侧翼选项，用于增强型光学检测。NVMFS4C306N符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。
特性
- 低导通电阻 (RDS(on))，最大限度地降低了导通损耗
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 经过优化的栅极电荷，可最大限度地降低开关损耗
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- NVMFS4C306NWF -可湿性侧翼选项，用于增强型光学检测
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 反向电池保护
- 直流－直流转换器输出驱动器
规范
- 连续漏极电流：71A（最大值）
- RDS(ON) 最大值：10V时为3.4mΩ，4.5V时为4.8mΩ
- 漏极-源极电压：30V
- 栅极-源极电压：±20V
- 166A脉冲漏极电流
- 工作结温和存放温度范围：-55°C至175°C
典型应用
发布日期: 2023-12-29
| 更新日期: 2024-05-10