Qorvo QPD1029L GaN射频IMFET晶体管
Qorvo QPD1029L GaN射频内部匹配FET (IMFET) 晶体管是一款1500W (P3dB) 分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此射频IMFET的工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。QPD1029L晶体管可轻松实现与外部电路板匹配，并且节省电路板空间。此Qorvo晶体管是符合RoHS指令的器件。QPD1029L IMFET晶体管器件采用行业标准气腔封装，非常适合用于雷达。
特性
- 1.2 GHz至1.4 GHz频率范围
- 输出功率 (P3dB)：1500W（1.3GHz负载拉力时）
- 线性增益：21.3dB（1.3GHz负载拉力时）
- 典型PAE3dB ：75%（1.3GHz负载拉力时）
- 工作电压：65V
- 连续波 (CW) 和脉冲功能
应用
- L波段雷达放大器
- 雷达
框图
机械标示图纸（英寸）
其他资源
相关评估板
Qorvo QPD1029L评估板
设计用于评估QPD1029L射频晶体管，工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。
发布日期: 2020-07-20
| 更新日期: 2024-08-23