Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）具有直流至20GHz工作频率。 QPD2160D在P1dB条件下提供32.5dBm输出功率典型值，增益为10.4dB，在1dB压缩下提供63%功率附加效率。得益于该性能，QPD2160D适合用于高效率应用。
QPD2160D设计采用0.25µm功率pHEMT生产工艺。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。
Qorvo QPD2160D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸片。 该器件采用带氮化硅的保护层，可提供环境稳健性和防刮痕保护。
特性
- 频率范围：直流至20GHz
- P1dB输出功率：32.5dBm（典型值）
- 增益：10.4dB（12GHz时典型值）
- PAE：63%（12GHz时典型值）
- 噪声系数：1dB（12GHz时典型值）
- 漏极电压：8V
- 漏极电流：258mA
- 0.25µm GaAs pHEMT技术
- 裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm
- 无卤、无铅、符合RoHS指令
应用
- 通信
- 雷达
- 点对点无线电
- 卫星通信
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发布日期: 2022-04-14
| 更新日期: 2022-11-03