Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02N沟道功率MOSFET

Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02 N沟道功率MOSFET设计用于大电流开关应用。该MOSFET具有2.4mΩ超低导通电阻(VGS =10V,ID =125A)。RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET具有9500pF(典型值)低输入电容(VDS =50V)。该N沟道功率MOSFET适合用于汽车应用,例如低电压逆变器,用于2/3轮车的牵引电机控制和180度无传感器FoC电动工具。其他应用包括用于电机控制系统的12V/48V双向直流/直流转换器和汽车监控功能扩展。

特性

  • 超低导通电阻:
    • RDS(on)=2.4mΩ(最大值)VGS =10V,ID =125A)
  • 低输入电容:
    • Ciss=9500pF(典型值,VDS =50V)
  • 设计用于汽车应用,符合AEC-Q101标准
  • 无铅(该产品外部电极中不含铅)

应用

  • 低电压逆变器,用于2/3轮车的牵引电机控制
  • 180°无传感器FOC电动工具
  • 12V/48V双向直流/直流转换器
  • 汽车监控功能扩展(用于电机控制系统)

外形尺寸

机械图纸 - Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02N沟道功率MOSFET
发布日期: 2023-06-27 | 更新日期: 2024-03-15