Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02N沟道功率MOSFET
Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02 N沟道功率MOSFET设计用于大电流开关应用。该MOSFET具有2.4mΩ超低导通电阻(VGS =10V,ID =125A)。RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET具有9500pF(典型值)低输入电容(VDS =50V)。该N沟道功率MOSFET适合用于汽车应用,例如低电压逆变器,用于2/3轮车的牵引电机控制和180度无传感器FoC电动工具。其他应用包括用于电机控制系统的12V/48V双向直流/直流转换器和汽车监控功能扩展。特性
- 超低导通电阻:
- RDS(on)=2.4mΩ(最大值)(VGS =10V,ID =125A)
- 低输入电容:
- Ciss=9500pF(典型值,VDS =50V)
- 设计用于汽车应用,符合AEC-Q101标准
- 无铅(该产品外部电极中不含铅)
应用
- 低电压逆变器,用于2/3轮车的牵引电机控制
- 180°无传感器FOC电动工具
- 12V/48V双向直流/直流转换器
- 汽车监控功能扩展(用于电机控制系统)
外形尺寸
其他资源
发布日期: 2023-06-27
| 更新日期: 2024-03-15
