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Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET是一款采用第五代SuperGaN平台的650V、15mΩ氮化镓（GaN）常关FET。该平台采用了先进的外延技术和专利设计。Renesas TP65H015G5WS的这些特性不仅简化了制造工艺，还凭借更低的栅极电荷、输出电容、开关交叉损耗和反向恢复电荷，实现了比硅基器件更高的效率。

特性

  • 符合JEDEC标准的氮化镓技术
  • 通过了动态RDS(on)eff生产测试
  • 坚固的设计被固有特性寿命测试、宽栅极安全裕度和瞬态过电压能力所定义
  • 极低的QRR
  • 交叉损耗小
  • 可通过常用栅极驱动器轻松驱动
  • 支持AC-DC无桥式图腾柱PFC设计，实现更高功率密度、减小系统体积与重量，并降低系统整体成本
  • 在硬开关和软开关电路中均能实现更高效率
  • GSD引脚布局可改进高速设计
  • 无卤素，符合RoHS标准

应用

  • 数据通信
  • 广泛的工业应用
  • PV 逆变器
  • 伺服电机

规范

  • 漏源电压：650V
  • 瞬态漏源电压：725V
  • 栅源电压：±20V
  • 漏极连续电流
    • 95 A（+25 °C 时）
    • 60 A（+100 °C 时）
    • 脉冲漏极电流：600 A
  • 最大功率耗散：276W
  • 工作和存放温度范围：-55°C至+150°C
  • 焊接峰值温度：+260°C
  • 热阻
    • 结-外壳：0.45°C/W
    • 结温到环境：40°C/W

其他资源

典型应用

应用电路图 - Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET

简化半桥原理图

原理图 - Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET
发布日期: 2025-09-15 | 更新日期: 2026-02-05