ROHM Semiconductor BV1HBx汽车高侧开关

ROHM Semiconductor BV1HBx汽车高侧开关集成了过载电流保护功能和双重温度关断机制。 这限制了内部热瞬变,同时降低了IC的机械应力。BV1HBx开关具备4V低工作电压(适用于启动阶段)及智能有源钳位电路,用于在关闭电感负载时耗散磁能。这些开关还具有嵌入式电流检测和诊断功能。这些开关可在导通和关断状态下提供实时负载电流信息以及开路或短路反馈。3V与5V CMOS兼容输入引脚可直接连接微控制器,而无需特殊接口或电平转换器。BV1HBx高侧开关的工作温度范围为-40°C至150°C。典型应用包括电阻、电感和电容负载的驱动器,MOSFET、继电器与保险丝替换,以及智能电源设备。

特性

  • 符合 AEC-Q100
  • 负载短路保护
  • 过电流限制
  • 有源钳位和过电压保护
  • 双重温度关断
  • 欠压锁定
  • 集成电流检测电路
  • 接地失效保护
  • 开路负载和电池短路诊断

规范

  • 电源标称电压范围:6V至28V
  • 低工作电压(启动):4V
  • 过电压保护:41V
  • 休眠电流:0.5 µA
  • 导通电阻:
    • 9mΩ (BV1HB008EFJ-C)
    • 12mΩ (BV1HB012EFJ-C)
    • 20 mΩ (BV1HB020EFJ-C)
    • 40mΩ (BV1HB040EFJ-C)
    • 90 mΩ (BV1HB090EFJ-C)
    • 180mΩ (BV1HB180EFJ-C)
  • 过电流限制:
    • 66A (BV1HB008EFJ-C)
    • 56A (BV1HB012EFJ-C)
    • 51 A (BV1HB020EFJ-C)
    • 30A (BV1HB040EFJ-C)
    • 15 A (BV1HB090EFJ-C)
    • 7.5A (BV1HB180EFJ-C)
  • 工作电流:
    • 3.5 mA(BV1HB008EFJ-C和BV1HB012EFJ-C)
    • 3mA (BV1HB020EFJ-C和BV1HB040EFJ-C)
    • 2.7 mA (BV1HB090EFJ-C)
    • 2.4 mA (BV1HB180EFJ-C)
  • 结温范围:-40 °C至150 °C

应用

  • 用于电阻、电感和电容负载的驱动器
  • MOSFET、继电器和保险丝替换
  • 12V汽车系统的智能电源设备
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物料编号 数据表 运行时间—最大值 空闲时间—最大值 导通电阻—最大值 最小工作温度 最大工作温度
BV1HB008EFJ-CE2 BV1HB008EFJ-CE2 数据表 150 us 100 us 22 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB012EFJ-CE2 BV1HB012EFJ-CE2 数据表 150 us 100 us 35 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB020EFJ-CE2 BV1HB020EFJ-CE2 数据表 150 us 100 us 44 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB180EFJ-CE2 BV1HB180EFJ-CE2 数据表 100 us 100 us 360 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB090EFJ-CE2 BV1HB090EFJ-CE2 数据表 100 us 100 us 180 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB040EFJ-CE2 BV1HB040EFJ-CE2 数据表 100 us 100 us 90 mOhms - 40 C + 150 C
发布日期: 2025-07-22 | 更新日期: 2025-08-19