ROHM Semiconductor BV1LDx汽车用IPD单通道低侧开关
ROHM Semiconductor BV1LDx汽车用IPD单通道低侧开关具有输出诊断功能，用于热关断（TSD）。这些器件在单个芯片上集成了带控制模块(CMOS)的单片电源管理IC (PMIC)和功率MOSFET。BV1LDx低侧开关具有内置保护功能，如有源钳位功能、过流和双热关断。在5V输入电压（VIN）和25°C结温（Tj ）条件下，此系列汽车用IPD开关的典型导通电阻（RDS(ON)）为250mΩ。这些低侧开关采用HTSOP-J8封装，尺寸为4.9mm x 6mm x 1mm。BV1LDx低侧开关符合AEC-Q100标准，优化用于12V汽车应用，适合用于驱动电阻、电感和电容性负载。
特性
- 内置双热关断(TSD)
- 符合 AEC-Q100
- 内置过流保护功能 (OCP)
- 内置有源钳位功能
- 通过CMOS逻辑IC实现直接控制
- 单片电源管理IC、控制块（CMOS）和功率MOSFET安装在单个芯片上
- 导通电阻RDS(On) ：
- BV1LD040EFJ-C：40mΩ（典型值；VIN =5V、IOUT =2.5A、Tj=25°C时）
- BV1LD080EFJ-C：80mΩ（典型值；VIN=5V、IOUT =1.5A、Tj=25°C时）
- BV1LD160EFJ-C：160mΩ（典型值；VIN =5V、IOUT =1A、Tj=25°C时）
- BV1LD250EFJ-C：250mΩ（典型值；VIN =5V、IOUT =0.5A、Tj=25°C时）
应用
- 12V汽车要求
- 驱动电阻、电感和电容性负载
框图
尺寸
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| 物料编号 | 数据表 | 输出端数量 | 输出电流 | 电流限制 | 工作电源电压 | 封装 / 箱体 | 子类别 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BV1LD040EFJ-CE2 |  |
1 Output | 5.5 A | 8 A | 3 V to 5.5 V | HTSOP-8 | Switch ICs |
| BV1LD080EFJ-CE2 | |
1 Output | 3.8 A | 5.5 A | 3 V to 5.5 V | HTSOP-8 | Switch ICs |
| BV1LD160EFJ-CE2 | |
1 Output | 2.5 A | 3.6 A | 3 V to 5.5 V | HTSOP-8 | Switch ICs |
| BV1LD250EFJ-CE2 | |
1 Output | 1.3 A | 1.9 A | 3 V to 5.5 V | HTSOP-8 | Switch ICs |
发布日期: 2024-10-23
| 更新日期: 2024-12-09