ROHM Semiconductor R6049YN N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor R6049YN N沟道功率MOSFET为开关应用提供高速开关和低导通电阻。这些单通道增强模式器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有600V漏源击穿电压、22A或±49±A连续漏极电流以及65nC总栅极电荷。ROHM R6049YN N沟道功率MOSFET采用TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项。
特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 驱动电路可以非常简单
- Si技术
- 增强沟道模式
- 通孔安装
- 无卤素铸模复合物
- 无铅电镀，符合RoHS指令
规范
- 漏极-源极击穿电压：600V
- 连续漏极电流：±22A或±49A
- 脉冲漏极电流：±147A
- 漏极-源极导通电阻：82mΩ
- ±30V栅极-源极电压
- 栅极-源极阈值电压范围：4V或6V
- 最大零栅极电压漏极电流：100µA
- 最大栅极-源极漏电流：±100nA
- 最大拉电流：49A
- 最大源极-漏极电压：1.5V
- 栅极电阻：1.0Ω（典型值）
- 反向恢复电荷：6.5μC（典型值）
- 峰值反向恢复电流：34A（典型值）
- 典型栅极电荷
- 总计：65nC
- 源极：21nC
- 漏极：30nC
- 栅极平台电压：7V（典型值）
- 功率耗散：90W或448W
- 典型电容
- 输入：2940pF
- 输出：100pF
- 有效输出
- 能量相关：100pF
- 时间相关：650pF
- 单脉冲雪崩
- 电流：2.8A
- 能量：208mJ
- 典型时间
- 导通延迟：38ns
- 上升：33ns
- 关断延迟：91ns
- 下降：19ns
- 反向恢复：380ns
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项
内部电路
发布日期: 2023-09-12
| 更新日期: 2023-10-04