ROHM Semiconductor R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET

ROHM Semiconductor R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET是具有快速开关功能的低导通电阻器件。此功率MOSFET具有0.265Ω R_DS(on)（最大值）、83W耗散功率以及-55°C至150°C的工作温度范围。R8019KNXC7G Nch 800V 19A采用无铅电镀，符合RoHS指令。该功率MOSFET采用并联方式，使用方便，非常适合开关应用。