ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N通道功率MOSFET是一款40V、80A、100%经过雪崩测试的半导体器件，具有低导通电阻。该功率MOSFET具有 ±160A脉冲漏极电流、 ±20V栅极-源极电压以及96W功耗。RD3G08CBLHRB N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令，采用TO-252 (DPAK)封装。该功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C。典型应用包括高级辅助驾驶系统(ADAS)、信息娱乐、照明和车身电子产品。
特性
- 低导通电阻
- 100%经雪崩测试
- 符合 AEC-Q101
- 无铅电镀
- 符合RoHS标准
规范
- 40 V漏源电压
- 连续漏极电流：±80A
- 脉冲漏极电流：±160 A
- ±20 V栅极-源极电压
- 功率耗散：96W
- TO-252 (DPAK) 封装
- 工作温度范围：-55 °C至175 °C
应用
- 高级辅助驾驶系统 (ADAS)
- 信息娱乐
- 照明
- 车身电子产品
测量电路
尺寸
发布日期: 2024-07-18
| 更新日期: 2024-08-01