ROHM Semiconductor RFNxRSM2S超快恢复二极管
ROHM Semiconductor RFNxRSM2S超快恢复二极管是硅外延平面二极管，具有低正向电压和低开关损耗。这些超快二极管具有200V峰值反向电压，储存温度范围为-55°C至175°C。RFNxRSM2S超快恢复二极管具有大电流过载能力。这些二极管采用TO-277A封装。RFNxRSM2S超快恢复二极管符合RoHS指令，非常适用于一般整流应用。
特性
- 硅外延平面结构类型
- 200 V峰值反向电压
- 低正向电压
- 低开关损耗
- 大电流过载能力
应用
- 一般整流
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| 物料编号 | 数据表 | 最大浪涌电流 | If - 正向电流 | 恢复时间 | Ir - 反向电流 | Vf - 正向电压 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFN10RSM2STL1 |  |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
| RFN4RSM2STFTL1 | |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN4RSM2STL1 | |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STFTL1 | |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STL1 | |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN10RSM2STFTL1 | |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
发布日期: 2024-05-22
| 更新日期: 2024-06-11