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ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL超快恢复二极管

ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL超快恢复二极管具有超快恢复、超低开关损耗和大电流过载能力。这些恢复二极管的正向工作电压范围为1.6V至2.8V，储存温度范围为-55°C至150°C。RFVxBGE6STL恢复二极管具有600V重复峰值反向电压、600V反向电压和150°C结温。这些超快恢复二极管非常适合用于连续电流模式下PFC的一般整流。

特性

  • 超快恢复/硬恢复类型
  • 超低开关损耗
  • 高电流过载能力
  • 硅外延平面型结构

规范

  • RFV5BGE6S:
    • 平均整流正向电流：5A
    • 峰值正向浪涌电流：60A
  • RFV8BGE6S:
    • 平均整流正向电流：8A
    • 正向浪涌峰值电流：100A
  • 正向电压范围：1.6V至2.8V
  • 储存温度范围：-55°C至150°C
  • 重复峰值反向电压：600V
  • 反向电压：600V
  • 结温：150°C

机械图纸

机械图纸 - ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL超快恢复二极管

其他资源

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物料编号 数据表 最大浪涌电流 If - 正向电流 Vf - 正向电压
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL 数据表 100 A 8 A 2.8 V
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL 数据表 60 A 5 A 2.8 V
发布日期: 2021-02-23 | 更新日期: 2022-03-11