ROHM Semiconductor RGA80Tx 1200V场截止沟槽型IGBT
ROHM Semiconductor RGA80Tx 1200V场截止沟槽型IGBT具有低开关和导通损耗。此系列IGBT的集电极-发射极电压额定值为1200V，集电极-发射极电流额定值为69A。ROHM Semiconductor RGA80Tx器件非常适合用于电动压缩机、汽车用高压加热器以及工业用逆变器。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 短路耐受时间：10μs
- 低集电极-发射极饱和电压
- 内置超快速软恢复FRD
- 引线无铅镀层
- 符合RoHS指令
应用
- 汽车和工业通用逆变器
- 高压加热器
- 继电器电路（如预充电继电器）
内部电路
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| RGA80TRX2EHRC15 |  |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TRX2HRC15 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TSX2EHRC11 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TSX2HRC11 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
发布日期: 2024-10-14
| 更新日期: 2024-10-17