ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR IGBT采用TO-247N封装，符合汽车应用类AEC-Q101标准。RGS30TSX2DHR还具有集成的快速恢复二极管 (FRD)。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 短路耐受时间：10μs
- 内置FRD快速软恢复二极管（仅限RGS30TSX2DHR）
- 集电极-发射极电压 (VCES)：1200V
- 栅极-发射极电压 (VGES)：±30V
- 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))：1.7V
- 集电极电流 (IC)：15A
- 栅极-发射极阈值电压 (VGE(th))：7V
- 功耗 (PD)：267W
- 工作结温范围：-40°C至+175°C
- TO-247N封装
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车和工业应用中的通用逆变器
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具有导通损耗和低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。
引脚布局
发布日期: 2021-03-17
| 更新日期: 2022-03-11