ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的漏源电压（V_DSS）为60V、连续漏极电流为±15.5A。该款N沟道MOSFET的低导通电阻（R_DS(on)）为38mΩ、功耗为14W。RQ3L060BG MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C，采用无卤素、大功率小型模具封装 (HSMT8)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动器和直流/直流转换器。